Introduction of an InP-based light emitter into a GaAs-based 3D photonic crystal by improved wafer bonding of dissimilar materials
Introduction of an InP-based light emitter into a GaAs-based 3D photonic crystal by improved wafer bonding of dissimilar materials
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通过改进不同材料的晶圆键合，将 InP 基光发射器引入 GaAs 基 3D 光子晶体中
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Noda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Imada;S.Ogawa;S.Yoshimoto;S.Noda
影响因子：
2.5
作者：
S. Noda;M. Imada;M. Okano;S. Ogawa;M. Mochizuki;A. Chutinan
通讯作者：
A. Chutinan