Si及びSiC-MOSFETのI-V特性に対するガンマ線照射の影響
Si及びSiC-MOSFETのI-V特性に対するガンマ線照射の影響
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伽马射线照射对 Si 和 SiC-MOSFET I-V 特性的影响
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发表时间：
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期刊：
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通讯作者：
土方泰斗
中科院分区：
文献类型：
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作者：
横関貴史;田中量也;藤田奈津子;牧野高紘;小野田忍;大島武;田中雄季;神取幹郎;吉江徹;土方泰斗
