Exciton localization characteristics in Al-rich AIGaN/AIN quantum wells
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富铝AlGaN/AlN量子阱中激子局域化特性
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Funato and Y. Kawakami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Oto;R. G. Banal;M. Funato and Y. Kawakami
