Growth of ( 1 1 0 1 ) GaN on a 7-degree off-oriented (0 0 1)Si substrate by selective MOVPE
Growth of ( 1 1 0 1 ) GaN on a 7-degree off-oriented (0 0 1)Si substrate by selective MOVPE
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通过选择性 MOVPE 在 7 度偏向 (0 0 1)Si 衬底上生长 ( 1 1 0 1 ) GaN
DOI：
10.1016/s0022-0248(02)01353-2
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
8.8
通讯作者：
N. Sawaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Honda;N. Kameshiro;M. Yamaguchi;N. Sawaki
