ラザフォード後方散乱法及び弾性反跳法によるGaN単結晶の格子変位と残留水素の評価
ラザフォード後方散乱法及び弾性反跳法によるGaN単結晶の格子変位と残留水素の評価
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使用卢瑟福背散射法和弹性反冲法评估GaN单晶中的晶格位移和残余氢
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中村徹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
佐藤一樹;串田一雅;西村智朗;栗山一男;中村徹
