高誘電率材料を用いたInAs/AlGaSb HEMT の作製と評価
高誘電率材料を用いたInAs/AlGaSb HEMT の作製と評価
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采用高介电常数材料的 InAs/AlGaSb HEMT 的制备和评估
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
藤原健司,塩路真広,天野直樹,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦,井上正崇
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Koyama;K. Fujiwara;N. Amano;T. Maemoto;S. Sasa;M. Lnoue;藤原健司,塩路真広,天野直樹,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦,井上正崇
