T.Saito, Y.Hashimoto, and T.Ikoma: "Band Discontinuity at the (311) A GaAs/AlAs Interface and Possibility of Its Control by Si Insertion Layrs" Phys.Rev.B50. 17242 (1994)
T.Saito, Y.Hashimoto, and T.Ikoma: "Band Discontinuity at the (311) A GaAs/AlAs Interface and Possibility of Its Control by Si Insertion Layrs" Phys.Rev.B50. 17242 (1994)
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T.Saito、Y.Hashimoto 和 T.Ikoma：“(311) A GaAs/AlAs 界面的能带不连续性及其通过 Si 插入层控制的可能性”Phys.Rev.B50。
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