CeT2Al10(T=Ru, Os)置換系におけるスピンギャップの磁場効果

CeT2Al10(T=Ru, Os)置換系におけるスピンギャップの磁場効果
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CeT2Al10(T=Ru, Os)取代体系中自旋间隙的磁场效应

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发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
近藤晃弘,金道浩一,中川史也,吉田康助,高井駿,谷田博司,世良正文,川端丈,高畠敏郎,西岡孝
近藤晃弘,金道浩一,中川史也,吉田康助,高井駿,谷田博司,世良正文,川端丈,高畠敏郎,西岡孝
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Y. Kousaka;T. Koyama;Y. Miyamoto;A. Sera;J. Akimitsu;K. Inoue;K. Ohishi;J. Suzuki;K. Kakurai;V. Hutanu and T. Brueckel;近藤晃弘,金道浩一,中川史也,吉田康助,高井駿,谷田博司,世良正文,川端丈,高畠敏郎,西岡孝

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