選択成長法を用いたGaN 系FinFET
選択成長法を用いたGaN 系FinFET
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采用选择性生长方法的基于 GaN 的 FinFET
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
筒井一生,濱田拓也,高山 研,金 相佑,星井拓也,角嶋邦之,若林 整,高橋言緒,井手利英,清水三聡
中科院分区：
文献类型：
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作者：
筒井一生,濱田拓也,高山 研,金 相佑,星井拓也,角嶋邦之,若林 整,高橋言緒,井手利英,清水三聡
