利得飽和を考慮した半導体レーザーレート方程式の導出
利得飽和を考慮した半導体レーザーレート方程式の導出
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考虑增益饱和的半导体激光器速率方程推导
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
松山哲也，和田健司，堀中博道
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Wada;Y. Hono;T. Hashii;Y. Yamagami;T. Matsuyama;and H. Horinaka;和田健司，松倉聖，橋井匠，山上雄基，松山哲也，堀中博道;松山哲也，和田健司，堀中博道
