High-quality n-type conductive Si-doped AlInN/GaN DBRs with hydrogen cleaning
High-quality n-type conductive Si-doped AlInN/GaN DBRs with hydrogen cleaning
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采用氢清洗的高质量 n 型导电硅掺杂 AlInN/GaN DBR
DOI：
10.35848/1882-0786/ac9bc9
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发表时间：
2022
影响因子：
2.3
通讯作者：
and Toshihiro Kamei
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kana Shibata;Tsuyoshi Nagasawa;Kenta Kobayashi;Ruka Watanabe;Takayuki Tanaka;Tetsuya Takeuchi;Satoshi Kamiyama;Motoaki Iwaya;and Toshihiro Kamei
