Improvement of Ohmic contact to p-GaN by controlling the residual carbon concentration in p(++) -GaN layer
Improvement of Ohmic contact to p-GaN by controlling the residual carbon concentration in p(++) -GaN layer
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通过控制 p( ) -GaN 层中的残余碳浓度来改善与 p-GaN 的欧姆接触
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2017.03.009
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发表时间：
2017
影响因子：
1.8
通讯作者：
Li Mo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Liang Feng;Zhao Degang;Jiang Desheng;Liu Zongshun;Zhu Jianjun;Chen Ping;Yang Jing;Liu Wei;Li Xiang;Liu Shuangtao;Xing Yao;Zhang Liqun;Yang Hui;Long Heng;Li Mo
