RF-MBE法によるGaInN厚膜成長とpnホモ接合型LEDの製作
RF-MBE法によるGaInN厚膜成長とpnホモ接合型LEDの製作
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采用 RF-MBE 方法生长和制造 GaInN 厚膜 pn 同质结 LED
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
本田 徹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
鳴谷 建人;山口 智広;Ke Wang;荒木 努;名西やすし;Liwen Sang;角谷 正友;藤岡 秀平;尾沼 猛儀;本田 徹
