反応性パルスレーザーアブレーション法によるGaNナノ結晶の作製II
反応性パルスレーザーアブレーション法によるGaNナノ結晶の作製II
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反应脉冲激光烧蚀法制备GaN纳米晶II
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
吉田岳人
中科院分区：
文献类型：
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作者：
角本宗一郎;梅津郁朗;杉村陽;吉田岳人
