表面活性化によるGeウェハの常温接合
表面活性化によるGeウェハの常温接合
复制标题
通过表面活化对 Ge 晶片进行室温键合
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
倉山竜二
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ying-Hui Wang;Tadatomo Suga;Ying-Hui Wang;Ying-Hui Wang;Ying-Hui Wang;Keigo Oshikawa;Ying-hui Wang;Tadatomo Suga;王英輝;倉山竜二;王英輝;倉山竜二
