Topological phase transition in non-centrosymmetric semiconductor Te under pressure
Topological phase transition in non-centrosymmetric semiconductor Te under pressure
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压力下非中心对称半导体Te的拓扑相变
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Y. Iwasa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Ideue;M. Hirayama;H. Taiko;T. Takahashi;M. Murase;T. Miyake;S. Murakami;T. Sasagawa;and Y. Iwasa
