M.Tabuchi, Y.Takeda, H.Amano, I.Akasaki, 他: "Atomic scale characterization of GaInN/GaN layers grown on sapphire substrates with low-temperature deposited A1N buffer layers"Journal of Crystal Growth. 237-239. 1133-1138 (2002)
M.Tabuchi, Y.Takeda, H.Amano, I.Akasaki, 他: "Atomic scale characterization of GaInN/GaN layers grown on sapphire substrates with low-temperature deposited A1N buffer layers"Journal of Crystal Growth. 237-239. 1133-1138 (2002)
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M.Tabuchi、Y.Takeda、H.Amano、I.Akasaki 等人：“在具有低温沉积 AlN 缓冲层的蓝宝石衬底上生长的 GaInN/GaN 层的原子尺度表征”《晶体生长杂志》237-239。 1133-1138（2002）
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