Optical Properties of Cubic GaN Grown on 3C-SiC (100) Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
Optical Properties of Cubic GaN Grown on 3C-SiC (100) Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
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金属有机气相外延在 3C-SiC (100) 衬底上生长立方 GaN 的光学特性
DOI：
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Shiraki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Wu;H. Yaguchi;B. Zhang;Y. Segawa;K. Onabe;Y. Shiraki
