酸素添加がWゲートMOSデバイスの電気特性に与える影響
酸素添加がWゲートMOSデバイスの電気特性に与える影響
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添加氧对W栅MOS器件电特性的影响
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
川那子高暢
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ishikawa;M;Ogawa;O.N.;Ohkouchi;N.;Kase;T.;石川牧子・加瀬友喜;高橋昭紀・石川牧子・本田恵理・平野弘道;Takamasa Kawanago;Takamasa Kawanago;川那子高暢;Takamasa Kawanago;川那子高暢
