Charged vacancy defects in monolayer phosphorene

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DOI:
10.1103/physrevmaterials.5.124004
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发表时间:
2021-12
影响因子:
3.4
通讯作者:
B. Rijal;A. M. Tan;C. Freysoldt;R. Hennig
B. Rijal;A. M. Tan;C. Freysoldt;R. Hennig
中科院分区:
材料科学3区
文献类型:
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作者:
B. Rijal;A. M. Tan;C. Freysoldt;R. Hennig

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