A.Uedono and S.Tanigawa: "Positron Study of vacancy-type defects induced by high Si-doping into MBE-grown GaAs" Jpn.J.Appl.Phys.29. L346-348 (1990)
A.Uedono and S.Tanigawa: "Positron Study of vacancy-type defects induced by high Si-doping into MBE-grown GaAs" Jpn.J.Appl.Phys.29. L346-348 (1990)
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A.Uedono 和 S.Tanikawa：“MBE 生长的 GaAs 中高硅掺杂引起的空位型缺陷的正电子研究”Jpn.J.Appl.Phys.29。
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