次世代SiCパワー半導体パッケージにおける信頼性向上のための熱設計手法の開発
次世代SiCパワー半導体パッケージにおける信頼性向上のための熱設計手法の開発
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开发热设计方法以提高下一代 SiC 功率半导体封装的可靠性
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
枝次将弥，木伏理沙子，結城和久，海野徳幸
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kako Iwamoto;Masaki Okado;Junya Utsumi;Hirokazu Tatsuoka;and Yosuke Shimura;枝次将弥，木伏理沙子，結城和久，海野徳幸
