Preparation and Characterization of Nitridation Layer on 4H SiC(0001) Surface by Direct Plasma Nitridation
Preparation and Characterization of Nitridation Layer on 4H SiC(0001) Surface by Direct Plasma Nitridation
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直接等离子体氮化4H SiC(0001)表面氮化层的制备及表征
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.631
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kiichi Kamimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yoshiyuki Akahane;Takuo Kano;Kyosuke Kimura;Hiroki Komatsu;Yukimune Watanabe;Tomohiko Yamakami;Kiichi Kamimura
