TCAD modeling of single MeV ion induced charge collection processes in Si devices
TCAD modeling of single MeV ion induced charge collection processes in Si devices
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Si 器件中单 MeV 离子感应电荷收集过程的 TCAD 建模
DOI：
10.1016/s0168-583x(03)00711-0
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Itoh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. S. Laird;T. Hirao;S. Onoda;H. Mori;H. Itoh
