Electron tunneling into intermediate valence intermetallics
Electron tunneling into intermediate valence intermetallics
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电子隧道进入中间价金属间化合物
DOI：
10.1016/0304-8853(85)90489-5
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发表时间：
1985
影响因子：
2.7
通讯作者：
G. Güntherodt
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W. Schmitt;G. Güntherodt
用GaAs肖特基势垒点接触隧穿方法研究了中价金属间化合物（YbInAu_2，YbAl_2，CeCu_2Si_2和CeRu_2）的电子隧穿.没有发现IV型超导体的不对称性，也没有发现强重整化隧穿态密度的迹象，IV型超导体CeRu_2（Tc= 6K）的能隙为2Δ =（3.3±0.3 meV）.
Electron tunneling into Intermediate-Valent (IV) intermetallics (YbInAu2, YbAl2, CeCu2Si2and CeRu2) has been investigated by GaAs Schottky barrier point-contact tunneling. No IV-related asymmetries or indications for a strongly renormalized tunneling density of states are found. The IV superconductor CeRu2(Tc= 6K) shows a strongly enlarged gap of 2Δ = (3.3±0.3 meV).