Fabrication and in-plane electrical resistivity of Ge/SiGe quantum dot superlattices
Fabrication and in-plane electrical resistivity of Ge/SiGe quantum dot superlattices
复制标题
Ge/SiGe量子点超晶格的制备和面内电阻率
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Motegi、T. Kajitani
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Hayashi、S. Abiko、N;Motegi、T. Kajitani
