GaAa/AlAs multilayer cavity with Er-doped InAs quantum dots embedded in extremely thin strain-relaxed InGaAs barriers for ultrafast all-optical switches
GaAa/AlAs multilayer cavity with Er-doped InAs quantum dots embedded in extremely thin strain-relaxed InGaAs barriers for ultrafast all-optical switches
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GaAa/AlAs 多层腔，具有嵌入极薄应变松弛 InGaAs 势垒中的掺铒 InAs 量子点，用于超快全光开关
DOI：
10.7567/jjap.52.04cg04
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发表时间：
2013
影响因子：
1.5
通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Morita K.;et al.
