M.Gotoh: "Roughening of the Si/SiO_2 interface during SCl-chemical treatment studied by scanning tunneling microscopy"J. Vac. Sci. Technol. B. 18・4. 2165-2168 (2000)
M.Gotoh: "Roughening of the Si/SiO_2 interface during SCl-chemical treatment studied by scanning tunneling microscopy"J. Vac. Sci. Technol. B. 18・4. 2165-2168 (2000)
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M. Gotoh：“通过扫描隧道显微镜研究 SCl 化学处理过程中的 Si/SiO_2 界面的粗糙化”J. Vac. B. 2165-2168 (2000)。
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