Abnormal Temperature Dependence of Photoluminescence Properties of In-Plane Ultrahigh-Density InAs/InAsSb Quantum-Dot Layer
Abnormal Temperature Dependence of Photoluminescence Properties of In-Plane Ultrahigh-Density InAs/InAsSb Quantum-Dot Layer
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面内超高密度InAs/InAsSb量子点层光致发光特性的异常温度依赖性
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Koichi Yamaguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sim jui Oon;Naoya Miyashita;Koichi Yamaguchi
