ALD-Al2O3 絶縁体層を有するInAlN MOS ダイオードの作製手順の検討
ALD-Al2O3 絶縁体層を有するInAlN MOS ダイオードの作製手順の検討
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ALD-Al2O3绝缘层InAlN MOS二极管制作工艺研究
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
赤澤 正道
中科院分区：
文献类型：
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作者：
千葉 勝仁;中野 拓真;赤澤 正道
