須崎 渉 他: "Carrier Recombination in 1.72μm InGaAs/InP stramed Layer GRIN-SCH-MQW Laser"Extended Abstracts of the 18th Electron Material Symp.. 163-166 (1999)
須崎 渉 他: "Carrier Recombination in 1.72μm InGaAs/InP stramed Layer GRIN-SCH-MQW Laser"Extended Abstracts of the 18th Electron Material Symp.. 163-166 (1999)
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Wataru Susaki 等人：“1.72μm InGaAs/InP 斯特拉德层 GRIN-SCH-MQW 激光器中的载流子复合”第 18 届电子材料研讨会的扩展摘要.. 163-166 (1999)
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