GaAs(110)対称量子井戸におけるスピン緩和時間の不純物分布依存性

GaAs(110)対称量子井戸におけるスピン緩和時間の不純物分布依存性
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GaAs(110)对称量子阱中自旋弛豫时间的杂质分布依赖性

DOI:
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发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
江上喜幸
江上喜幸
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
明楽浩史;鈴浦秀勝;江上喜幸

文献摘要

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