Fabrication of three-layer silicon antireflection structures in200?450??GHz using deep reactive ion etching
Fabrication of three-layer silicon antireflection structures in200?450??GHz using deep reactive ion etching
复制标题
200?450?GHz深反应离子刻蚀三层硅减反射结构的制作
DOI：
10.1364/ao.441969
复制
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
1.9
通讯作者：
Sekimoto Yutato
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hasebe Takashi;Hayashi Tasuku;Shohmitsu Yoshinori;Nitta Tom;Matsuo Hiroshi;Sekimoto Yutato
