All-electrical universal control of a double quantum dot qubit in silicon MOS
All-electrical universal control of a double quantum dot qubit in silicon MOS
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硅MOS中双量子点量子位的全电通用控制
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Carroll
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Harvey;R. Jock;N. Jacobson;Andrew D. Baczewski;A. Mounce;M. Curry;D. Ward;John M. Anderson;R. Manginell;J. Wendt;M. Rudolph;T. Pluym;M. Lilly;M. Pioro;M. Carroll
基于类似晶体管的硅MOS纳米器件的量子比特在量子计算中很有前途。在这项工作中，我们展示了一种双量子点自旋量子比特，它是全电子控制的，不需要任何外部组件，如微磁铁，这可能会使集成复杂化。量子比特的普遍控制是通过自旋-轨道类相互作用和交换相互作用实现的。使用单次读出，我们展示了直流和交流控制技术。所使用的制造技术与CMOS完全兼容。
Qubits based on transistor-like Si MOS nanodevices are promising for quantum computing. In this work, we demonstrate a double quantum dot spin qubit that is all-electrically controlled without the need for any external components, like micromagnets, that could complicate integration. Universal control of the qubit is achieved through spin-orbit-like and exchange interactions. Using single shot readout, we show both DC-and AC-control techniques. The fabrication technology used is completely compatible with CMOS.