パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化
パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化
复制标题
脉冲模式热网CVD法优化GaN生长条件
DOI：
--
复制
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
安井寛治
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
永田一樹;里本宗一;片桐裕則;神保和夫;末光眞希;遠藤哲郎;伊藤隆;中澤日出樹;成田克;安井寛治
