基于能带调制模型的高压增强型AlGaN/GaN HFET器件
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DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
ZHANG Jing CHEN Wanjun WANG Zhigang WEI Jin ZHANG
中科院分区：
文献类型：
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作者：
张竞;陈万军;汪志刚;魏进;张波;ZHANG Jing CHEN Wanjun WANG Zhigang WEI Jin ZHANG
