Nonvolatile resistive switching memories based on ferroelectric tunnel junctions
Nonvolatile resistive switching memories based on ferroelectric tunnel junctions
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基于铁电隧道结的非易失性电阻开关存储器
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山田 浩之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
澤 彰仁;豊崎 喜精;山田 浩之
