Vertical InGaAs MOSFET With Hetero-Launcher and Undoped Channel
Vertical InGaAs MOSFET With Hetero-Launcher and Undoped Channel
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具有异质发射器和未掺杂沟道的垂直 InGaAs MOSFET
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Furuya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Saito;Y.Miyamoto;K.Furuya
