Akihiro Wakahara: "Nitrogen doping in AlGaP grown by organometallic vapor phase epitaxy using tertiarybutylamine as nitrogen source." J.Crystal Growth. 145. 435-439 (1994)
Akihiro Wakahara: "Nitrogen doping in AlGaP grown by organometallic vapor phase epitaxy using tertiarybutylamine as nitrogen source." J.Crystal Growth. 145. 435-439 (1994)
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Akihiro Wakahara：“使用叔丁胺作为氮源，通过有机金属气相外延生长的 AlGaP 中的氮掺杂。”
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