Vacuum Annealed β -Ga 2 O 3 Recess Channel MOSFETs With 8.56 kV Breakdown Voltage
Vacuum Annealed β -Ga 2 O 3 Recess Channel MOSFETs With 8.56 kV Breakdown Voltage
复制标题
具有 8.56 kV 击穿电压的真空退火 β -Ga 2 O 3 凹槽沟道 MOSFET
DOI：
10.1109/led.2022.3218749
复制
发表时间：
2022
影响因子：
4.9
通讯作者：
Singisetti, Uttam
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sharma, Shivam;Meng, Lingyu;Bhuiyan, A. F.;Feng, Zixuan;Eason, David;Zhao, Hongping;Singisetti, Uttam
