Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN HEMT with Resistance to Off-Stress-Induced Current Collapse
Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN HEMT with Resistance to Off-Stress-Induced Current Collapse
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具有抗脱应力诱导电流崩塌能力的多台面沟道 AlGaN/GaN HEMT
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Hashizume
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Ohi;T.Hashizume
