Mobile Ions Generated in Thermal Sio_2 on SiC by Hydrogen Passivation and Its Impact on Interface Property
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氢钝化SiC上热Sio_2中产生的移动离子及其对界面性质的影响
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
細井卓治
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Sanada;Y. Kunihashi;H. Gotoh;K. Onomitsu;M. Kohda;J. Nitta;P. V. Santos;and T. Sogawa;細井卓治
