熱酸化処理を施した高純度半絶縁性SiC基板上n型およびp型イオン注入層の電気的性質
熱酸化処理を施した高純度半絶縁性SiC基板上n型およびp型イオン注入層の電気的性質
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热氧化处理高纯半绝缘SiC衬底上n型和p型离子注入层的电学性能
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
木本 恒暢
中科院分区：
文献类型：
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作者：
金 祺民;具 燦淳;金子 光顕;木本 恒暢
