MIT virtual source GaNFET-RF compact model for GaN HEMTs: From device physics to RF frontend circuit design and validation
MIT virtual source GaNFET-RF compact model for GaN HEMTs: From device physics to RF frontend circuit design and validation
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适用于 GaN HEMT 的 MIT 虚拟源 GaNFET-RF 紧凑模型：从器件物理到 RF 前端电路设计和验证
DOI：
10.1109/iedm.2014.7047034
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D. Antoniadis
中科院分区：
文献类型：
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作者：
U. Radhakrishna;Pilsoon Choi;Sushmit Goswami;L. Peh;T. Palacios;D. Antoniadis
基于物理的RF-GaN HEMT的紧凑的传输和电荷模型已经开发，包括设备的自加热，非线性访问区域的行为，噪声等，该模型进行了验证，从器件级DC到电路级的测量。该模型在Verilog-A中实现，这是一个合适的基础电路仿真。
A physics-based compact transport and charge model for RF-GaN HEMTs has been developed, including device self-heating, non-linear access region behavior, noise, etc. The model is validated against measurements from device-level DC up to circuit-level. The model is implemented in Verilog-A that is a suitable base for circuit simulations.