Ultra-low-energy ion implantation to decrease the resistance of silicon
Ultra-low-energy ion implantation to decrease the resistance of silicon
复制标题
超低能量离子注入降低硅电阻
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kazuhiro Yamamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
本儀達寛;大森達也;橋本研也;山口正恆;Kazuhiro Yamamoto and Hiroshi Itoh;Kazuhiro Yamamoto and Hiroshi Itoh;Kazuhiro Yamamoto
