Characterization of Electronic Charged States of Single Si Quantum Dots with Ge Core Using AFM/Kelvin Probe Technique

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使用 AFM/开尔文探针技术表征具有 Ge 核的单硅量子点的电子带电状态

DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Ext. Abst. of 2nd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing [P-18]
影响因子：
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通讯作者：
S.Miyazaki
S.Miyazaki
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Y.Darma;K.Takeuchi;S.Miyazaki

文献摘要

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