Electron carrier generation at edge dislocations in InN films; First-principles study
Electron carrier generation at edge dislocations in InN films; First-principles study
复制标题
InN 薄膜中边缘位错处电子载流子的产生；
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Nakayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Takei;T.Nakayama
