K.Ishii,D.Isshiki,Y.Ohki,H.Nishikawa,and M.Takiyama: "Role of Point Defects in Dielectric Breakdown of SiO_2 Formed by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition of Tetraethoxysilane" Jpn.J.Appl.Phys. 34. 205-211 (1995)
K.Ishii,D.Isshiki,Y.Ohki,H.Nishikawa,and M.Takiyama: "Role of Point Defects in Dielectric Breakdown of SiO_2 Formed by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition of Tetraethoxysilane" Jpn.J.Appl.Phys. 34. 205-211 (1995)
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K.Ishii、D.Isshiki、Y.Ohki、H.Nishikawa 和 M.Takiyama：“点缺陷在四乙氧基硅烷的等离子体增强化学气相沉积形成的 SiO_2 介电击穿中的作用”Jpn.J.Appl.Phys。
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