Sub-400 degrees C Si2H6 Passivation, HfO2 Gate Dielectric, and Single TaN Metal Gate: A Common Gate Stack Technology for In0.7Ga0.3As and Ge1-xSnx CMOS
Sub-400 degrees C Si2H6 Passivation, HfO2 Gate Dielectric, and Single TaN Metal Gate: A Common Gate Stack Technology for In0.7Ga0.3As and Ge1-xSnx CMOS
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低于 400 摄氏度的 Si2H6 钝化、HfO2 栅极电介质和单 TaN 金属栅极：适用于 In0.7Ga0.3As 和 Ge1-xSnx CMOS 的通用栅极堆栈技术
DOI：
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发表时间：
2013
影响因子：
3.1
通讯作者：
Yeo, Yee-Chia
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Su, Shaojian;Xue, Chunlai;Cheng, Buwen;Yeo, Yee-Chia
