Radical Nitridation of Ultra-thin Gate Oxide on Silicon Carbide

Radical Nitridation of Ultra-thin Gate Oxide on Silicon Carbide
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碳化硅上超薄栅氧化层的自由基氮化

DOI:
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发表时间:
2004
期刊:
2004 International Symposium on Nano Science and Technology
影响因子:
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通讯作者:
H.Yano
H.Yano
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
H.Yano;H.Yano;H.Yano

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